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HARRIS IRF730
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IRF730 |
| Código de Pieza EBEE | E83280381 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 400V 5.5A 100W 1Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4480 | $ 1.4480 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HARRIS IRF730 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 400V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 5.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 100W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 530pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 24nC@10V |
Guía de compra
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| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
