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HARRIS HGTP10N40F1D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HGTP10N40F1D |
| Código de Pieza EBEE | E83193394 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 75W 12A 400V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9172 | $ 2.9172 |
| 200+ | $1.1303 | $ 226.0600 |
| 500+ | $1.0895 | $ 544.7500 |
| 1000+ | $1.0701 | $ 1070.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Hoja de Datos | HARRIS HGTP10N40F1D | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 12A | |
| Power Dissipation (Pd) | 75W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 400V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.5V@10V,5A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 13.4nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
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| 500+ | $1.0895 | $ 544.7500 |
| 1000+ | $1.0701 | $ 1070.1000 |
