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HARRIS HGTD8P50G1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HGTD8P50G1 |
| Código de Pieza EBEE | E83191173 |
| Paquete | IPAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 66W 12A 500V IPAK IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0626 | $ 0.0626 |
| 200+ | $0.0243 | $ 4.8600 |
| 500+ | $0.0233 | $ 11.6500 |
| 1000+ | $0.0230 | $ 23.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Hoja de Datos | HARRIS HGTD8P50G1 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 12A | |
| Power Dissipation (Pd) | 66W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 500V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3.7V@15V,8A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 30nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 500+ | $0.0233 | $ 11.6500 |
| 1000+ | $0.0230 | $ 23.0000 |
