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Hangzhou Silan Microelectronics SVS20N60FJD2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SVS20N60FJD2 |
| Código de Pieza EBEE | E82761792 |
| Paquete | TO-220F-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 600V 20A 0.16Ω@10V,10A 45W 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 10+ | $0.8861 | $ 8.8610 |
| 50+ | $0.7495 | $ 37.4750 |
| 100+ | $0.6400 | $ 64.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Hangzhou Silan Microelectronics SVS20N60FJD2 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.174nF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@10V |
Guía de compra
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| 50+ | $0.7495 | $ 37.4750 |
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