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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SVF4N60CAD |
| Código de Pieza EBEE | E8467746 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Guía de compra
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| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
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