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Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RDTR
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SVF2N60RDTR |
| Código de Pieza EBEE | E8601638 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 600V 2A 3.7Ω@10V,1A 34W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RDTR | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.7Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 250pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.92nC@10V |
Guía de compra
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