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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
SVF12N65F
Código de Pieza EBEE
E818781
Paquete
TO-220F
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
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10+$0.4257$ 4.2570
50+$0.3450$ 17.2500
100+$0.2896$ 28.9600
500+$0.2643$ 132.1500
1000+$0.2501$ 250.1000
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$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosHangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F
RoHS
TipoN-Channel
RDS (on)640mΩ@10V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)15pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation51W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)12A
Ciss-Input Capacitance1.39nF
Output Capacitance(Coss)156pF
Gate Charge(Qg)33nC@10V

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