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Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SGM40HF12A1TFD |
| Código de Pieza EBEE | E82761782 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.8791 | $ 11.8791 |
| 10+ | $10.7892 | $ 107.8920 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 5.5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | 413nC@40A,±15V | |
| Td(off) | 611ns | |
| Td(on) | 425ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 117ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 9.3mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.58nF@25V |
Guía de compra
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