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GOSEMICON GBS65060TOA
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GBS65060TOA |
| Código de Pieza EBEE | E87426972 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 23A 50mΩ@10V,16.4A 192W 4.6V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | GOSEMICON GBS65060TOA | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 55mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 329W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC |
Guía de compra
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