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GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R20MT17K |
| Código de Pieza EBEE | E83281098 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1.7kV 124A 26mΩ@15V,75A 809W 2.7V@15mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $147.0086 | $ 147.0086 |
| 30+ | $141.0472 | $ 4231.4160 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1.7kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 124A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26mΩ@15V,75A | |
| Disipación de energía (Pd) | 809W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.7V@15mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 10.187nF@1000V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 400nC@15V |
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