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FUXINSEMI IHW20N135R5F


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
IHW20N135R5F
Código de Pieza EBEE
E87467022
Paquete
TO-247-3
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
-
Descripción
333W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescripción
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CategoríaTransestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos
Hoja de DatosFUXINSEMI IHW20N135R5F
RoHS
Temperatura de funcionamiento-40℃~+175℃
Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces)1.35kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic)4.8V@1mA
Pd - Power Dissipation333W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)175nC@15V
Td(off)204ns
Td(on)-
Reverse Transfer Capacitance (Cres)57pF
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)1.02mJ
Turn-On Energy (Eon)1.02mJ
Input Capacitance(Cies)1.781nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)60A
Output Capacitance(Coes)95pF

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