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Existar E18P100KC
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | E18P100KC |
| Código de Pieza EBEE | E829781157 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 18A 36.7W 110mΩ@10V,6A 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Existar E18P100KC | |
| RoHS | ||
| Tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1.3pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36.7W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.11nF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Guía de compra
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