| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | EV-IRFR5305-T1 |
| Código de Pieza EBEE | E841433129 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 30A 55mΩ@4.5V 60W 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3151 | $ 1.5755 |
| 50+ | $0.2556 | $ 12.7800 |
| 150+ | $0.2302 | $ 34.5300 |
| 500+ | $0.1985 | $ 99.2500 |
| 2500+ | $0.1843 | $ 460.7500 |
| 5000+ | $0.1758 | $ 879.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | EVVO EV-IRFR5305-T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V | |
| Disipación de energía (Pd) | 60W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 205pF@30V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3060pF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3151 | $ 1.5755 |
| 50+ | $0.2556 | $ 12.7800 |
| 150+ | $0.2302 | $ 34.5300 |
| 500+ | $0.1985 | $ 99.2500 |
| 2500+ | $0.1843 | $ 460.7500 |
| 5000+ | $0.1758 | $ 879.0000 |
