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EVVO EV-IRFR120N-T1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | EV-IRFR120N-T1 |
| Código de Pieza EBEE | E841433131 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 9.4A 210mΩ@10V,5.6A 1.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | EVVO EV-IRFR120N-T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 9.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,5.6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.5W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 54pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 330pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 25nC |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1764 | $ 0.8820 |
| 50+ | $0.1432 | $ 7.1600 |
| 150+ | $0.1289 | $ 19.3350 |
| 500+ | $0.1112 | $ 55.6000 |
| 2500+ | $0.1033 | $ 258.2500 |
| 5000+ | $0.0984 | $ 492.0000 |
