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EVVO EV-IRFB4110-T3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | EV-IRFB4110-T3 |
| Código de Pieza EBEE | E841433137 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 120A 370W 3.7mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | EVVO EV-IRFB4110-T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.7mΩ@10V,75A | |
| Disipación de energía (Pd) | 370W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 250pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 9620pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 210nC |
Guía de compra
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