| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD50N03 |
| Código de Pieza EBEE | E836499176 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 30V 55A 10mΩ@10V,30A 37.5W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD50N03 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 55A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,30A | |
| Disipación de energía (Pd) | 37.5W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 109pF@15V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 940pF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0598 | $ 5.9800 |
| 300+ | $0.0531 | $ 15.9300 |
| 2500+ | $0.0481 | $ 120.2500 |
| 5000+ | $0.0439 | $ 219.5000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
