| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD30N06 |
| Código de Pieza EBEE | E836499179 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 30A 30mΩ@10V,15A 55W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD30N06 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 55W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 45pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.05nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0758 | $ 0.3790 |
| 50+ | $0.0627 | $ 3.1350 |
| 150+ | $0.0561 | $ 8.4150 |
| 500+ | $0.0512 | $ 25.6000 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0453 | $ 226.5000 |
