| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD20N06 |
| Código de Pieza EBEE | E836499181 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 20A 36mΩ@10V,10A 31W 3V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD20N06 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 36mΩ@10V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 31W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 45.3pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.15nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20.3nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0742 | $ 0.7420 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0534 | $ 16.0200 |
| 2500+ | $0.0482 | $ 120.5000 |
| 5000+ | $0.0440 | $ 220.0000 |
| 10000+ | $0.0420 | $ 420.0000 |
