| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DO2301E-Q |
| Código de Pieza EBEE | E841384537 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 2A 125mΩ@4.5V,2A 800mW 1V@250μA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0076 | $ 0.7600 |
| 1000+ | $0.0061 | $ 6.1000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0047 | $ 42.3000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
| 99000+ | $0.0041 | $ 405.9000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DO2301E-Q | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 125mΩ@4.5V,2A | |
| Disipación de energía (Pd) | 800mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250μA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 24pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 150pF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0076 | $ 0.7600 |
| 1000+ | $0.0061 | $ 6.1000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0047 | $ 42.3000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
| 99000+ | $0.0041 | $ 405.9000 |
