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Central Semicon CDM22010-650 SL
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CDM22010-650 SL |
| Código de Pieza EBEE | E87100756 |
| Paquete | TO-220-3 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 10A 1Ω@10V,5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2979 | $ 1.2979 |
| 200+ | $0.5184 | $ 103.6800 |
| 500+ | $0.5003 | $ 250.1500 |
| 1000+ | $0.4929 | $ 492.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2W;156W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.168nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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