| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MSD60P16 |
| Código de Pieza EBEE | E822465587 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 16A 48mΩ@10V,8A 25W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7504 | $ 0.7504 |
| 10+ | $0.6217 | $ 6.2170 |
| 30+ | $0.5583 | $ 16.7490 |
| 100+ | $0.4948 | $ 49.4800 |
| 500+ | $0.4568 | $ 228.4000 |
| 1000+ | $0.4369 | $ 436.9000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Bruckewell MSD60P16 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 48mΩ@10V,8A | |
| Disipación de energía (Pd) | 25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 59pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.256nF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 22nC@30V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7504 | $ 0.7504 |
| 10+ | $0.6217 | $ 6.2170 |
| 30+ | $0.5583 | $ 16.7490 |
| 100+ | $0.4948 | $ 49.4800 |
| 500+ | $0.4568 | $ 228.4000 |
| 1000+ | $0.4369 | $ 436.9000 |
