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BORN SI2309
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI2309 |
| Código de Pieza EBEE | E8431496 |
| Paquete | SOT-23-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 60V 2A 200mΩ@4.5V,1A 800mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0708 | $ 0.7080 |
| 100+ | $0.0583 | $ 5.8300 |
| 300+ | $0.0520 | $ 15.6000 |
| 3000+ | $0.0349 | $ 104.7000 |
| 6000+ | $0.0312 | $ 187.2000 |
| 9000+ | $0.0293 | $ 263.7000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | BORN SI2309 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 200mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -50℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 800mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 310pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.4nC@30V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0708 | $ 0.7080 |
| 100+ | $0.0583 | $ 5.8300 |
| 300+ | $0.0520 | $ 15.6000 |
| 3000+ | $0.0349 | $ 104.7000 |
| 6000+ | $0.0312 | $ 187.2000 |
| 9000+ | $0.0293 | $ 263.7000 |
