| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | ASW65R110E |
| Código de Pieza EBEE | E85440019 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 655V 30A 277.8W 110mΩ 4.2V@250uA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | ANHI ASW65R110E | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 110mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+100℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 6.75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277.8W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.497nF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
