| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AOTF5B65M1 |
| Código de Pieza EBEE | E817308164 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 25W 10A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6740 | $ 2.6740 |
| 10+ | $2.6144 | $ 26.1440 |
| 30+ | $2.5766 | $ 77.2980 |
| 100+ | $2.5369 | $ 253.6900 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | - | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 25W | |
| Turno? fuera de horario de demora (Td(off)) | 106ns | |
| Turno? en Tiempo de retardo (Td(on)) | 8.5ns | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 1.98V@15V,5A | |
| Total Gate Charge (Qg-Ic,Vge) | 14nC | |
| Diode Tiempo de recuperación inversa (Trr) | 195ns |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6740 | $ 2.6740 |
| 10+ | $2.6144 | $ 26.1440 |
| 30+ | $2.5766 | $ 77.2980 |
| 100+ | $2.5369 | $ 253.6900 |
