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AGM-Semi AGM628MAP
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM628MAP |
| Código de Pieza EBEE | E822364308 |
| Paquete | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 35W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
Guía de compra
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