| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM500P20D |
| Código de Pieza EBEE | E817701063 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 200V 12A 500mΩ@10V,5A 35W 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2416 | $ 1.2080 |
| 50+ | $0.1945 | $ 9.7250 |
| 150+ | $0.1742 | $ 26.1300 |
| 500+ | $0.1489 | $ 74.4500 |
| 2500+ | $0.1339 | $ 334.7500 |
| 5000+ | $0.1271 | $ 635.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM500P20D | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 35W | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.21nF@160V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 35nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2416 | $ 1.2080 |
| 50+ | $0.1945 | $ 9.7250 |
| 150+ | $0.1742 | $ 26.1300 |
| 500+ | $0.1489 | $ 74.4500 |
| 2500+ | $0.1339 | $ 334.7500 |
| 5000+ | $0.1271 | $ 635.5000 |
