| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM30P08AP |
| Código de Pieza EBEE | E85349152 |
| Paquete | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 30V 60A 7.2mΩ@10V,15A 50W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1948 | $ 0.9740 |
| 50+ | $0.1569 | $ 7.8450 |
| 150+ | $0.1405 | $ 21.0750 |
| 500+ | $0.1203 | $ 60.1500 |
| 2500+ | $0.1095 | $ 273.7500 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM30P08AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 50W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.6V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.497nF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1948 | $ 0.9740 |
| 50+ | $0.1569 | $ 7.8450 |
| 150+ | $0.1405 | $ 21.0750 |
| 500+ | $0.1203 | $ 60.1500 |
| 2500+ | $0.1095 | $ 273.7500 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
