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AGM-Semi AGM30P05AP
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM30P05AP |
| Código de Pieza EBEE | E86719406 |
| Paquete | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 30V 60A 60W 5.5mΩ@10V,15A 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2037 | $ 1.0185 |
| 50+ | $0.1628 | $ 8.1400 |
| 150+ | $0.1452 | $ 21.7800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM30P05AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 60W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.2V@250uA | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
Guía de compra
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| 150+ | $0.1452 | $ 21.7800 |
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