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AGM-Semi AGM18N10AP
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM18N10AP |
| Código de Pieza EBEE | E87509649 |
| Paquete | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM18N10AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 35A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 17mΩ@10V,12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 45W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.6V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5.3pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 12.5nC@10V |
Guía de compra
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