| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM01P15E |
| Código de Pieza EBEE | E820625929 |
| Paquete | SOT-23-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 4.3A 270mΩ@10V,4A 1.25W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0890 | $ 4.4500 |
| 150+ | $0.0788 | $ 11.8200 |
| 500+ | $0.0711 | $ 35.5500 |
| 3000+ | $0.0650 | $ 195.0000 |
| 6000+ | $0.0619 | $ 371.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM01P15E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 270mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.6V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.199nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 19.5nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0890 | $ 4.4500 |
| 150+ | $0.0788 | $ 11.8200 |
| 500+ | $0.0711 | $ 35.5500 |
| 3000+ | $0.0650 | $ 195.0000 |
| 6000+ | $0.0619 | $ 371.4000 |
