| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AGM01P15AP |
| Código de Pieza EBEE | E87466531 |
| Paquete | PDFN3.3x3.3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 10.5A 315mΩ@10V,6A 33W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | AGM-Semi AGM01P15AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 315mΩ@10V,6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 33W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.9V@250uA | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
