MOSFET
Hersteller
- GeneSiC Semiconductor
Gehäuse
- TO-247-4
Gewinnen Bandbreitenprodukt (GBP)
- -55℃~+175℃@(Tj)
Nennspannung
- 1 N-channel
Dauerdr.
- 1.7kV
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)
- 124A
Stromableitung (Pd)
- 26mΩ@15V,75A
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)
- 809W
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)
- 2.7V@15mA
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)
- 10.187nF@1000V
Sammler Cut-Off Current (Icbo)
- 400nC@15V
Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
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Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | EBEE-Teilenr. | Hersteller | Produktname | Beschreibung | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $147.0086 30+ $141.0472 | Min.: 1 Mult.: 1 | - | G3R20MT17K | E83281098 | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | - | - | TO-247-4 | Tube-packed |
- 1