I MOSFET

Die Ergebnisse von I MOSFET1

Hersteller

  • AWINIC(Shanghai Awinic Tech)

Gehäuse

  • DFN-6L(2x2)

Tensione nominale

  • -

Corrente di scarico continuo (Id)

  • -

Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)

  • -

Dissipazione di potenza (Pd)

  • -

Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)

  • -

Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)

  • -

Capacità di ingresso (Ciss-Vds)

  • -

Carica totale del cancello (Qg-Vgs)

  • -

Ritaglio di taglio corrente (Icbo)

  • -
Ergebnisse:1
  • 1
Bilder
Preise
Menge
Verfügbarkeit
Herst.-Teilenr.
eBee Part#
Manufacturer
Product Name
Description
RoHS
Gehäuse
Verpackung
Bilder
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Herst.-Teilenr.
EBEE-Teilenr.
Hersteller
Produktname
Beschreibung
RoHS
Gehäuse
Verpackung
5+
$0.0392
50+
$0.0384
150+
$0.0378
500+
$0.0372
Min.: 5
Mult.: 5
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AW3112DNRE8498339AWINIC(Shanghai Awinic Tech)AWINIC(Shanghai Awinic Tech) AW3112DNR
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DFN-6L(2x2)Tape & Reel (TR)
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