Transistors/modules IGBT
Hersteller
- Diodes Incorporated
Gehäuse
- ITO-220AB-3
- TO-247-3
Gain Bandwidth Product (GBP)
- -
Tension nominale
- FS(Field Stop)
Tension d'émetteurs de collecte
- 50A
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)
- 348W
Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on))
- 269ns
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)
- 73ns
Capacité d'entrée (Cies-Vce)
- 1.2kV
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)
- -
Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge)
- 2.4V@15V,25A
Délai de récupération inverse de la diode (Trr)
- 204nC
Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff)
- 100ns
Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon)
- 0.55mJ
Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge)
- 1.44mJ
Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
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Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | EBEE-Teilenr. | Hersteller | Produktname | Beschreibung | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $1.9247 10+ $1.6459 30+ $1.4711 100+ $1.2916 | Min.: 1 Mult.: 1 | 9 Auf Lager | DGTD65T15H2TF | E8705300 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated DGTD65T15H2TF | - | - | ITO-220AB-3 | Tube-packed | |
1+ $5.8647 10+ $5.7351 30+ $5.3800 100+ $5.2948 | Min.: 1 Mult.: 1 | - | DGTD120T25S1PT | E8705308 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated DGTD120T25S1PT | - | - | TO-247-3 | Tube-packed |
- 1