Gate Drive Optocoupler
Hersteller
- onsemi
Gehäuse
- SOIC-16-300mil
Prodotto della larghezza di banda (GBP)
- -40℃~+100℃
Avvolgimento primario
- 4243V
Frequenza di commutazione
- 15V~30V
Distorsione della larghezza di impulso
- -
Tempo di ritardo di basso livello
- 100ns
Tempo di ritardo di alto livello
- 250ns
Tipo di carico utile
- 250ns
Corrente di picco di anode
- MOSFET;IGBT
Modalità comune immunità transitoria
- 3A
Il numero di canali
- 35kV/us
Ambiente e temperatura fluida
- 1
Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
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Bilder | Preise | Menge | Verfügbarkeit | Herst.-Teilenr. | EBEE-Teilenr. | Hersteller | Produktname | Beschreibung | RoHS | Gehäuse | Verpackung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $5.5407 10+ $5.2692 50+ $5.1050 100+ $4.9677 | Min.: 1 Mult.: 1 | 80 Auf Lager | FOD8316 | E8899337 | onsemi | onsemi FOD8316 | - | - | SOIC-16-300mil | Tube-packed |
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