Transistors Darlington

Die Ergebnisse von Transistors Darlington1

Hersteller

  • RENESAS

Gehäuse

  • SIP-3

Courant d'égout continu

  • NPN

Tension d'émetteurs de collecte

  • 1.5A

Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)

  • 1W

Tension collector-émetteur (Vcéo)

  • 2000@2V,1A

Fréquence de transition (fT)

  • 80V

Courant de coupure du collecteur (Icbo-Vcb)

  • 60MHz

Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)-Ic,Ib)

  • 1mA

Dissipation totale du dispositif (Pd)

  • 1.5V@1mA,1A
Ergebnisse:1
  • 1
Bilder
Preise
Menge
Verfügbarkeit
Herst.-Teilenr.
eBee Part#
Manufacturer
Product Name
Description
RoHS
Gehäuse
Verpackung
Bilder
Preise
Menge
Verfügbarkeit
Herst.-Teilenr.
EBEE-Teilenr.
Hersteller
Produktname
Beschreibung
RoHS
Gehäuse
Verpackung
1+
$3.9891
200+
$1.5911
500+
$1.5389
1000+
$1.5127
Min.: 1
Mult.: 1
-
2SD1579-T-AZE87174994RENESASRENESAS 2SD1579-T-AZ
-
-
SIP-3Bag-packed
  • 1