| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 3DD13003E1D |
| EBEE-Teilenummer | E8162349 |
| Gehäuse | TO-92-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0846 | $ 0.4230 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0608 | $ 9.1200 |
| 1000+ | $0.0549 | $ 54.9000 |
| 2000+ | $0.0501 | $ 100.2000 |
| 5000+ | $0.0477 | $ 238.5000 |
| 10000+ | $0.0472 | $ 472.0000 |
| 20000+ | $0.0467 | $ 934.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1.3A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 400V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 5MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Transistortyp | NPN+PNP |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0846 | $ 0.4230 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0608 | $ 9.1200 |
| 1000+ | $0.0549 | $ 54.9000 |
| 2000+ | $0.0501 | $ 100.2000 |
| 5000+ | $0.0477 | $ 238.5000 |
| 10000+ | $0.0472 | $ 472.0000 |
| 20000+ | $0.0467 | $ 934.0000 |
