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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
3DD13003E1D
EBEE-Teilenummer
E8162349
Gehäuse
TO-92-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
5+$0.0846$ 0.4230
50+$0.0688$ 3.4400
150+$0.0608$ 9.1200
1000+$0.0549$ 54.9000
2000+$0.0501$ 100.2000
5000+$0.0477$ 238.5000
10000+$0.0472$ 472.0000
20000+$0.0467$ 934.0000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieTransistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT)
DatenblattWuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D
RoHS
Temperatur-
Sammlerstrom (Ic)1.3A
Stromableitung (Pd)800mW
Sammler Cut-Off Current (Icbo)100uA
Durchlaufspannung (Vceo)400V
DC Current Gain (hFE-Ic,Vce)15@200mA,5V
Übergangsfrequenz (fT)5MHz
Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib)400mV@500mA,100mA
TransistortypNPN+PNP

Einkaufsleitfaden

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