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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 3DD13003E1D-BD |
| EBEE-Teilenummer | E8176705 |
| Gehäuse | TO-92-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1.3A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 400V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 5MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Transistortyp | NPN+PNP |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
