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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
WSB5558N-2/TR
EBEE-Teilenummer
E8240198
Gehäuse
DFN1006-2L
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
10+$0.0463$ 0.4630
100+$0.0369$ 3.6900
300+$0.0322$ 9.6600
1000+$0.0287$ 28.7000
5000+$0.0258$ 129.0000
10000+$0.0244$ 244.0000
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TypBeschreibung
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KategorieDioden ,Schottky Dioden
DatenblattWILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)30uA@30V
DiodenkonfigurationIndependent
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)30V
Voltage - Forward(Vf@If)450mV@100mA
Current - Rectified100mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current1A

Einkaufsleitfaden

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