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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5546N-2/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WSB5546N-2/TR |
| EBEE-Teilenummer | E8240197 |
| Gehäuse | DFN1006-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 600mV@200mA 200mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 600+ | $0.0232 | $ 13.9200 |
| 2000+ | $0.0206 | $ 41.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schottky Dioden | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5546N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@40V | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3A |
Einkaufsleitfaden
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