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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5539N-2/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WSB5539N-2/TR |
| EBEE-Teilenummer | E8239808 |
| Gehäuse | DFN1006-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 630mV@500mA 500mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0472 | $ 0.4720 |
| 100+ | $0.0368 | $ 3.6800 |
| 300+ | $0.0316 | $ 9.4800 |
| 1000+ | $0.0277 | $ 27.7000 |
| 5000+ | $0.0246 | $ 123.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schottky Dioden | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5539N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@40V | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 630mV@500mA | |
| Current - Rectified | 500mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 3A |
Einkaufsleitfaden
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