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WeEn Semiconductors MURS360BJ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURS360BJ |
| EBEE-Teilenummer | E8602640 |
| Gehäuse | SMB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.3V@3A 50ns Independent Type 3A 600V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1978 | $ 0.9890 |
| 50+ | $0.1521 | $ 7.6050 |
| 150+ | $0.1326 | $ 19.8900 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 3000+ | $0.0972 | $ 291.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | WeEn Semiconductors MURS360BJ | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3uA@600V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 110A | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
Einkaufsleitfaden
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