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WeEn Semiconductors BYV32EB-200PJ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BYV32EB-200PJ |
| EBEE-Teilenummer | E8602608 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.06V@20A 18ns 1 pair of common cathodes 20A 200V TO-263 Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6066 | $ 2.6066 |
| 10+ | $2.2277 | $ 22.2770 |
| 30+ | $1.9903 | $ 59.7090 |
| 100+ | $1.7482 | $ 174.8200 |
| 500+ | $1.6382 | $ 819.1000 |
| 800+ | $1.5910 | $ 1272.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | WeEn Semiconductors BYV32EB-200PJ | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 300nA@200V | |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18ns | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.06V@20A | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 200V | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 137A | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6066 | $ 2.6066 |
| 10+ | $2.2277 | $ 22.2770 |
| 30+ | $1.9903 | $ 59.7090 |
| 100+ | $1.7482 | $ 174.8200 |
| 500+ | $1.6382 | $ 819.1000 |
| 800+ | $1.5910 | $ 1272.8000 |
