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WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BYV30JT-600PQ |
| EBEE-Teilenummer | E8602574 |
| Gehäuse | TO-3PF |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.35V@30A 37ns Independent Type 30A 600V TO-3PF Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@600V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.35V@30A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 190A | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
Einkaufsleitfaden
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