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WeEn Semiconductors BYV10MX-600PQ
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BYV10MX-600PQ |
| EBEE-Teilenummer | E83202826 |
| Gehäuse | TO-220F-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-220F-2 Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | WeEn Semiconductors BYV10MX-600PQ | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 8uA | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 110A |
Einkaufsleitfaden
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