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Vishay Intertech US1G-E3/5AT
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1G-E3/5AT |
| EBEE-Teilenummer | E8511415 |
| Gehäuse | SMA(DO-214AC) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1V@1A 50ns 1A 400V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Vishay Intertech US1G-E3/5AT | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@400V | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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