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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) US1J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1J |
| EBEE-Teilenummer | E82758585 |
| Gehäuse | SMA(DO-214AC) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 600V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 500+ | $0.0078 | $ 3.9000 |
| 2000+ | $0.0061 | $ 12.2000 |
| 4000+ | $0.0054 | $ 21.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) US1J | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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