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STMicroelectronics STP18N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP18N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8222137 |
| Gehäuse | TO-220-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 12A 0.33Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | ||
| Datenblatt | ST STP18N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.33Ω@10V,6A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 770pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
