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STMicroelectronics PD57060S-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PD57060S-E |
| EBEE-Teilenummer | E82970400 |
| Gehäuse | PowerSO-10 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 65V 7A 2V@100mA 1 N-channel PowerSO-10 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,RF FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST PD57060S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 65V | |
| Dauerdr. | 7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | - | |
| Stromableitung (Pd) | - | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@100mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | - | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $169.1018 | $ 169.1018 |
| 200+ | $65.4411 | $ 13088.2200 |
| 500+ | $63.1420 | $ 31571.0000 |
| 1000+ | $62.0043 | $ 62004.3000 |
