| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LF253DT |
| EBEE-Teilenummer | E851672 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 3mV 4MHz 20pA SOIC-8 FET Input Amplifiers ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4132 | $ 0.4132 |
| 10+ | $0.3228 | $ 3.2280 |
| 30+ | $0.2838 | $ 8.5140 |
| 100+ | $0.2355 | $ 23.5500 |
| 500+ | $0.2121 | $ 106.0500 |
| 1000+ | $0.1980 | $ 198.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Verstärker/Gesparatoren ,FET Eingangsverstärker | |
| Datenblatt | STMicroelectronics LF253DT | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+105℃ | |
| Bahn nach Bahn | - | |
| Ruhestrom | 1.4mA | |
| Lärmdichte (eN) | 15nV/√Hz@1kHz | |
| Ausgangsstrom | 60mA | |
| Maximale Netzteil (Vdd-Vss) | 36V | |
| Eingangsversatz Strom (Ios) | 5pA | |
| Anzahl Kanäle | 2 | |
| Vos - Input Offset Voltage | 3mV | |
| Ib - Input Bias Current | 20pA | |
| Common Mode Rejection Ratio(CMRR) | 86dB | |
| Gain Bandwidth Product | 4MHz | |
| Slew Rate | 16V/us | |
| Input Offset Voltage Drift(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| Single Supply | 6V~36V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4132 | $ 0.4132 |
| 10+ | $0.3228 | $ 3.2280 |
| 30+ | $0.2838 | $ 8.5140 |
| 100+ | $0.2355 | $ 23.5500 |
| 500+ | $0.2121 | $ 106.0500 |
| 1000+ | $0.1980 | $ 198.0000 |
